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[導讀]這一整合讓嵌入式存儲器速度更快、散熱更低、設計更簡單21ic訊 意法半導體(STMicroelectronics,簡稱ST)宣布與Memoir Systems合作開發出革命性的算法內存技術(Algorithmic Memory Technology)。新技術將用于制造采用

這一整合讓嵌入式存儲器速度更快、散熱更低、設計更簡單

21ic訊 意法半導體(STMicroelectronics,簡稱ST)宣布與Memoir Systems合作開發出革命性的算法內存技術(Algorithmic Memory Technology)。新技術將用于制造采用全耗盡型絕緣層上硅(FD-SOI,fully-depleted silicon-on-insulator)技術的專用集成電路(ASIC,application-specific integrated circuits)和系統芯片(SoCs,Systems on Chips) 的內部存儲器。

當集成到采用FD-SOI技術的產品時,Memoir Systems的算法存儲器沒有損失任何性能,這歸功于 FD-SOI在功耗和性能上的優勢[1] 。此外,FD-SOI的極低軟錯誤率[2] 結合超低泄漏電流對于包括網絡、交通、醫療和航空等關鍵應用意義重大。

意法半導體設計支持和服務執行副總裁Philippe Magarshack表示:“就FD-SOI工藝本身而言,FD-SOI配備了ASIC和SoC設計工具,與其它制造工藝相比,它可實現速度更快,散熱更低。而且增加了Memoir Systems的知識產權后,我們把FD-SOI產品變得更具吸引力,并展示了其簡單的移動特點。”

Memoir Systems共同創辦人兼首席執行官Sundar Iyer表示:“我們專注于突破存儲器技術,實現更短的設計周期和極高的性能,這使我們的同類最優的算法存儲技術能夠嵌入FD-SOI平臺,這對于我們和客戶都具有重要意義。簡單的移動特點結合有目共睹的優異性能證實,FD-SOI可實現速度更快、散熱更低、設計更簡單。”

作為領先的ASIC生產廠商,意法半導體率先推出了突破性的全耗盡型絕緣層上硅(FD-SOI)制造工藝,擴展和簡化了現有平面體硅制造工藝。FD-SOI晶體管提高了靜電特性,縮短了溝道長度,因此工作頻率高于采用傳統CMOS制造的晶體管。

[1] 測試證明,FD-SOI技術制造的產品與體硅技術制造的同類產品相比,性能和能效均提高30%。

[2] 軟錯誤率(SER)是同級的基板產品五十至一百分之一,測量結果低于10 FIT/Mb (故障時間或故障次數每十億芯片小時)。

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